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JWH7911B是一款具有120V自举能力的高频半桥N沟道MOSFET驱动芯片,JWH7911B能够轨对轨的传输最大4A的拉电流和4A的灌电流到容性负载。
产品特性:
• 双通道半桥驱动器
• 最大自举电压120V
• 最大拉电流/灌电流:4A/4A
• 电源范围:8V到15V
• 传播延迟:33ns
• 传播延迟差异:2ns
• 封装: SOP8/DFN4x4-8
产品特性:
• 双通道半桥驱动器
• 最大自举电压120V
• 最大拉电流/灌电流:4A/4A
• 电源范围:8V到15V
• 传播延迟:33ns
• 传播延迟差异:2ns
• 封装: SOP8/DFN4x4-8