JW1568K 带有栅极驱动器的650V半桥GaN(Joulwatt杰华特
- 1. JW1568K集成了一个栅极驱动器和两个半桥结构的增强型GaN晶体管。集成功率GaN的RDS（ON）为220m和650 V漏极-源极击穿电压 2. JW1568K在低侧端和高侧驱动部分都具有欠压锁定保护功能，防止
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1. JW1568K集成了一个栅极驱动器和两个半桥结构的增强型GaN晶体管。集成功率GaN的RDS（ON）为220mΩ和650 V漏极-源极击穿电压 2. JW1568K在低侧端和高侧驱动部分都具有欠压锁定保护功能，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
2. JW1568K在下端和上端驱动部分都具有欠压锁定保护功能，防止电源开关在低效或危险条件下工作。
产品特性：
• 1. 集成Si工艺的栅极驱动器
• 2. 超低待机电流
• 3. VCC范围宽
• 4. 过电流保护
• 5. 集成高侧自举电路
• 6. 高达2MHz的工作频率
• 7. 防直通保护
• 8. 合封2*650V/220mΩ eMode GaN FET
2. JW1568K在下端和上端驱动部分都具有欠压锁定保护功能，防止电源开关在低效或危险条件下工作。
产品特性：
• 1. 集成Si工艺的栅极驱动器
• 2. 超低待机电流
• 3. VCC范围宽
• 4. 过电流保护
• 5. 集成高侧自举电路
• 6. 高达2MHz的工作频率
• 7. 防直通保护
• 8. 合封2*650V/220mΩ eMode GaN FET
